Onsemi MJD253G SMD, PNP Transistor –100 V / -4 A 10 MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin
About The 22 x 2.: +150 °C, MPN: MJD253T4G
onsemi MJD253G SMD, PNP Transistor –100 V / -4 A 10 MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin, Verlustleistung max.: 12,5 W, Gleichstromverstärkung min.: 40, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: 100 V dc, Basis-Emitter Spannung max.: 7 V, Abmessungen: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: MJD253T4G
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren
Onsemi MJD253G SMD, PNP Transistor –100 V / -4 A 10 MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin
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Specifications of Onsemi MJD253G SMD, PNP Transistor –100 V / -4 A 10 MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin | |
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