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Wurth Elektronik WE-TCI SMD Induktivität, 12 NH 180mA Mit Dünnschicht-Kern, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±2%, 3.7GHz

About The Wurth Elektronik WE-TCI SMD Induktivität, 12 nH 180mA mit Dünnschicht-Kern, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±2%, 3.5mm, Höhe: 0

Wurth Elektronik WE-TCI SMD Induktivität, 12 nH 180mA mit Dünnschicht-Kern, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±2%, 3.7GHz, Tiefe: 0.5mm, Höhe: 0.32mm, Abmessungen: 1 x 0.5 x 0.32mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 1.6Ω, Induktivitätsbauweise: Film, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: 744901112

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Specifications of Wurth Elektronik WE-TCI SMD Induktivität, 12 NH 180mA Mit Dünnschicht-Kern, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±2%, 3.7GHz

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