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TE Connectivity AMPMODU MOD II Steckverbindergehäuse Buchse 2.54mm, 8-polig / 2-reihig Gerade Für Zweireihige Buchse

About The .54mm, 8-polig / 2-reihig Gerade für Zweireihige Buchse, Zur Verwendung mit: Zweireihige Buchse Mod II, Länge: 12

TE Connectivity AMPMODU MOD II Steckverbindergehäuse Buchse 2.54mm, 8-polig / 2-reihig Gerade für Zweireihige Buchse, Zur Verwendung mit: Zweireihige Buchse Mod II, Länge: 12.2mm, Breite: 7.1mm, Gehäusematerial: Thermoplast, MPN: 280365

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Specifications of TE Connectivity AMPMODU MOD II Steckverbindergehäuse Buchse 2.54mm, 8-polig / 2-reihig Gerade Für Zweireihige Buchse

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HARTING D-Sub Mixed Sub-D Power-Steckverbinder, Stecker, Lötanschluss, Kupferlegierung, Gold, 10 → 8 AWG,

HARTING D-Sub Mixed Sub-D Power-Steckverbinder, Stecker, Lötanschluss, Kupferlegierung, Gold, 10 → 8 AWG,

HARTING D-Sub Mixed Sub-D Power-Steckverbinder, Stecker, Lötanschluss, Kupferlegierung, Gold, 10 → 8 AWG,, Gender: Male, Kontakttyp: Leistung, Nennstrom: 40A, Anschlussart: Löten, Länge: 22.6mm, MPN: 09692817423.

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    • DiodesZetex DMG1013T-7 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 460 mA 270 mW, 3-Pin SOT-523 (SC-89)

    DiodesZetex DMG1013T-7 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 460 mA 270 mW, 3-Pin SOT-523 (SC-89)

    7mm, Betriebstemperatur max.: 1,3 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    • binder 693 29 Rundsteckver Buchse 7-polig / 10.0A Kabelmontage, Schraubanschluss IP 67

    binder 693 29 Rundsteckver Buchse 7-polig / 10.0A Kabelmontage, Schraubanschluss IP 67

    binder 693 29 Rundsteckver Buchse 7-polig / 10.0A Kabelmontage, Schraubanschluss IP 67, Kontakt Gender: Buchsenkontakt, Anschlussart: Schrauben, Gehäuseausrichtung: Gerade, Betriebsspannung: 250 V, Gehäusematerial: Polymer, Kontakt-Format: 6+PE, Kontaktbeschichtung: Silber, MPN: 99-4218-00-07.

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    • STMicroelectronics N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 45 A, 4-Pin Hip247-4

    STMicroelectronics N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 45 A, 4-Pin Hip247-4

    STMicroelectronics N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 45 A, 4-Pin Hip247-4, Drain-Source-Widerstand max.: 0,067 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: SCTWA35N65G2V-4.

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    STMicroelectronics N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 45 A, 4-Pin Hip247-4

    STMicroelectronics N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 45 A, 4-Pin Hip247-4, Drain-Source-Widerstand max.: 0,067 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: SCTWA35N65G2V-4.

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