Infineon IAUT IAUT165N08S5N029ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 165 A, 8-Pin HSOF-8
About The 8V, Transistor-Werkstoff: Silicon.Infineon IAUT IAUT165N08S5N029ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 165 A, 8-Pin HSOF-8, Drain-Source-Widerstand max
Infineon IAUT IAUT165N08S5N029ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 165 A, 8-Pin HSOF-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0029 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.8V, Transistor-Werkstoff: Silicon
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon IAUT IAUT165N08S5N029ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 165 A, 8-Pin HSOF-8
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Specifications of Infineon IAUT IAUT165N08S5N029ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 165 A, 8-Pin HSOF-8 | |
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