STMicroelectronics SCT SCT10N120 N-Kanal, THT MOSFET-Modul 1200 V / 12 A, 3-Pin HiP247, Drain-Source-Widerstand max.: 0,58 Ω, Channel-Modus: Depletion, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Werkstoff: SiC
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
STMicroelectronics SCT SCT10N120 N-Kanal, THT MOSFET-Modul 1200 V / 12 A, 3-Pin HiP247
Specifications of STMicroelectronics SCT SCT10N120 N-Kanal, THT MOSFET-Modul 1200 V / 12 A, 3-Pin HiP247 | |
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