Infineon HEXFET IRFS7430TRL7PP N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 522 A 375 W, 7-Pin D2PAK-7
About The 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 750 μΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Infineon HEXFET IRFS7430TRL7PP N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 522 A 375 W, 7-Pin D2PAK-7, Drain-Source-Widerstand max.: 750 μΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.9V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRFS7430TRL7PP N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 522 A 375 W, 7-Pin D2PAK-7
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Specifications of Infineon HEXFET IRFS7430TRL7PP N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 522 A 375 W, 7-Pin D2PAK-7 | |
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