Infineon SIPMOS BSS131H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 240 V / 110 MA 360 MW, 3-Pin SOT-23
About The 9mm, Betriebstemperatur max.: -20 V, +20 V, Länge: 2
Infineon SIPMOS BSS131H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 240 V / 110 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 20 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.8V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.8V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 2.9mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon SIPMOS BSS131H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 240 V / 110 MA 360 MW, 3-Pin SOT-23
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Specifications of Infineon SIPMOS BSS131H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 240 V / 110 MA 360 MW, 3-Pin SOT-23 | |
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