STMicroelectronics MDmesh STP34NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 29 A 210 W, 3-Pin TO-220
About The 75mm.: 105 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
STMicroelectronics MDmesh STP34NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 29 A 210 W, 3-Pin TO-220, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 105 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Höhe: 15.75mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
STMicroelectronics MDmesh STP34NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 29 A 210 W, 3-Pin TO-220
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of STMicroelectronics MDmesh STP34NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 29 A 210 W, 3-Pin TO-220 | |
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