Toshiba TPN14006NH,L1Q(M N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 65 A 30 W, 8-Pin TSON
About The Toshiba TPN14006NH,L1Q(M N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 65 A 30 W, 8-Pin TSON, Drain-Source-Widerstand max.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max
Toshiba TPN14006NH,L1Q(M N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 65 A 30 W, 8-Pin TSON, Drain-Source-Widerstand max.: 41 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 3.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Toshiba TPN14006NH,L1Q(M N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 65 A 30 W, 8-Pin TSON
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Specifications of Toshiba TPN14006NH,L1Q(M N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 65 A 30 W, 8-Pin TSON | |
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