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Infineon OptiMOS BSC010NE2LSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 96 W, 8-Pin TDSON

About The : +150 °C.: 1,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

Infineon OptiMOS BSC010NE2LSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 96 W, 8-Pin TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 1,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Infineon OptiMOS BSC010NE2LSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 96 W, 8-Pin TDSON

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Specifications of Infineon OptiMOS BSC010NE2LSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 96 W, 8-Pin TDSON

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