STMicroelectronics STripFET F7 STP100N6F7 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 100 A 125 W, 3-Pin TO-220, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 5,6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, Höhe: 9.15mm, Länge: 10.4mm
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STMicroelectronics STripFET F7 STP100N6F7 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 100 A 125 W, 3-Pin TO-220
Specifications of STMicroelectronics STripFET F7 STP100N6F7 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 100 A 125 W, 3-Pin TO-220 | |
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