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SKF 4-Loch Flanschlager, Innen-Ø 80mm, 121mm X 210mm

About The SKF 4-Loch Flanschlager, Innen-Ø 80mm, 121mm x 210mm, Tiefe: 85mm, MPN: FNL 518 A

SKF 4-Loch Flanschlager, Innen-Ø 80mm, 121mm x 210mm, Tiefe: 85mm, MPN: FNL 518 A

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SKF 4-Loch Flanschlager, Innen-Ø 80mm, 121mm X 210mm

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Specifications of SKF 4-Loch Flanschlager, Innen-Ø 80mm, 121mm X 210mm

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Ohmite Resistor, Wirewound;10 Ohms;5 W;+/-5%;Axial;Silicone;460 V;18 ga.;1.5 In.

Ohmite Resistor, Wirewound;10 Ohms;5 W;+/-5%;Axial;Silicone;460 V;18 ga.;1.5 In.

5 In.Ohmite Resistor, Wirewound;10 Ohms;5 W;+/-5%;Axial;Silicone;460 V;18 ga.;1.", MPN: 45J10RE.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
  • Durchsteckwiderstände
  • Ohmite
    • WIKA PSD-4 Drucksensor 0bar bis 6bar, PNP/NPN

    WIKA PSD-4 Drucksensor 0bar bis 6bar, PNP/NPN

    WIKA PSD-4 Drucksensor 0bar bis 6bar, PNP/NPN, Druckanzeigen-Typ: Druckanzeige, Genauigkeit: ± 0,5 %, MPN: 48732296.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Automation
  • Sensoren
  • Drucksensoren
  • WIKA
    • onsemi Peripherie-Controller SMD SOT-223 4-Pin

    onsemi Peripherie-Controller SMD SOT-223 4-Pin

    : 51 V, Betriebstemperatur max.7 x 1.7mm, Breite: 3.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Prozessoren und Mikrocontroller
  • Peripherie-Controller-Chip
  • onsemi
    • onsemi NVMYS1D3N04CTWG N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 252 A 134 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

    onsemi NVMYS1D3N04CTWG N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 252 A 134 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

    onsemi NVMYS1D3N04CTWG N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 252 A 134 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669, Drain-Source-Widerstand max.5V, Gate-Schwellenspannung min.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • onsemi
    • onsemi NVMYS1D3N04CTWG N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 252 A 134 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

    onsemi NVMYS1D3N04CTWG N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 252 A 134 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

    5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 1,15 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: ±20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.5V, Gate-Schwellenspannung min.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • onsemi