Onsemi FDV303N N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 680 MA 350 MW, 3-Pin SOT-23
About The 92mm, Betriebstemperatur max.: 0
onsemi FDV303N N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 680 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 450 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.65V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: +8 V, Länge: 2.92mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi FDV303N N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 680 MA 350 MW, 3-Pin SOT-23
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of Onsemi FDV303N N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 680 MA 350 MW, 3-Pin SOT-23 | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
