STMicroelectronics MDmesh STW34NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 29 A 210 W, 3-Pin TO-247
About The : 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 105 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
STMicroelectronics MDmesh STW34NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 29 A 210 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 105 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 15.75mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
STMicroelectronics MDmesh STW34NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 29 A 210 W, 3-Pin TO-247
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Specifications of STMicroelectronics MDmesh STW34NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 29 A 210 W, 3-Pin TO-247 | |
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