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Bulldozer Besen PVC Borsten Für Staubentfernung

About The 14/BY.Bulldozer Besen PVC Borsten für Staubentfernung, Breite: 70mm, MPN: HQ

Bulldozer Besen PVC Borsten für Staubentfernung, Breite: 70mm, MPN: HQ.14/BY

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Bulldozer Besen PVC Borsten Für Staubentfernung

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Specifications of Bulldozer Besen PVC Borsten Für Staubentfernung

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Instockinstock

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Bulldozer Besen PVC Borsten Für Staubentfernung
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MERCURY Oszillator,Takt, 24.576MHz, ±50ppm, HCMOS, SMD, 4-Pin, Oberflächenmontage, 5 x 3.2 x 1.2mm

MERCURY Oszillator,Takt, 24.576MHz, ±50ppm, HCMOS, SMD, 4-Pin, Oberflächenmontage, 5 x 3.2 x 1.2mm

2mm, Ausgangsfrequenz: 24,576 MHz, Arbeitsspannnung min.: +85 °C, MPN: 3H53ET-24.2 x 1.: 3,135 V, Arbeitsspannnung max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Quarze & Oszillatoren und Resonatoren
  • Quarz-Oszillatoren
  • MERCURY
    • MERCURY Oszillator,Takt, 10MHz, ±50ppm, HCMOS, SMD, 4-Pin, Oberflächenmontage, 5 x 3.2 x 1.2mm

    MERCURY Oszillator,Takt, 10MHz, ±50ppm, HCMOS, SMD, 4-Pin, Oberflächenmontage, 5 x 3.2 x 1.2mm

    2mm, Länge: 5mm, MPN: 3H53ET-10.2mm, Betriebstemperatur min.000.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Quarze & Oszillatoren und Resonatoren
  • Quarz-Oszillatoren
  • MERCURY
    • Siemens 3SU1000 Wählschalterkopf 4-Positionen Rastend

    Siemens 3SU1000 Wählschalterkopf 4-Positionen Rastend

    Siemens 3SU1000 Wählschalterkopf 4-Positionen Rastend, IP Schutzart: IP66, IP67, IP69K, Schaltwinkel: 90°, Schutzart: IP66, IP67, IP69, IP69K, Schaltwinkel: 4 x 90°, MPN: 3SU1000-2AS60-0AA0.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Schalter
  • Schlüssel- und Wahlschalter
  • Wahlschalterköpfe
  • Siemens
    • Infineon CoolMOS C3 SPA11N60C3XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 11 A 33 W, 3-Pin TO-220 FP

    Infineon CoolMOS C3 SPA11N60C3XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 11 A 33 W, 3-Pin TO-220 FP

    Infineon CoolMOS C3 SPA11N60C3XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 11 A 33 W, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.: 380 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.: 2.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Infineon
    • Infineon CoolMOS C3 SPA11N60C3XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 11 A 33 W, 3-Pin TO-220 FP

    Infineon CoolMOS C3 SPA11N60C3XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 11 A 33 W, 3-Pin TO-220 FP

    1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Infineon