Vishay TrenchFET SI8483DB-T2-E1 P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 16 A, 6-Pin MICRO FOOT
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Vishay TrenchFET SI8483DB-T2-E1 P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 16 A, 6-Pin MICRO FOOT, Drain-Source-Widerstand max.: 0,026 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 0.8V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay TrenchFET SI8483DB-T2-E1 P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 16 A, 6-Pin MICRO FOOT
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Specifications of Vishay TrenchFET SI8483DB-T2-E1 P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 16 A, 6-Pin MICRO FOOT | |
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