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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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SMD-Induktivität
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TDK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 12 NH 400mA, 0402 Gehäuse 1mm / ±5%, 3GHz

About The : 400mΩ, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur max.: -55°C, Qualitätsfaktor min

TDK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 12 nH 400mA, 0402 Gehäuse 1mm / ±5%, 3GHz, Tiefe: 0.5mm, Abmessungen: 1 x 0.5 x 0.5mm, Gleichstromwiderstand max.: 400mΩ, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, Qualitätsfaktor min.: 8, MPN: MLG1005S12NJT000

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TDK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 12 NH 400mA, 0402 Gehäuse 1mm / ±5%, 3GHz

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Specifications of TDK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 12 NH 400mA, 0402 Gehäuse 1mm / ±5%, 3GHz

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Samtec TSW Stiftleiste gewinkelt, 50-polig / 1-reihig, Raster 2.54mm, Nicht ummantelt

Samtec TSW Stiftleiste gewinkelt, 50-polig / 1-reihig, Raster 2.54mm, Nicht ummantelt

Samtec TSW Stiftleiste gewinkelt, 50-polig / 1-reihig, Raster 2.54mm, Nicht ummantelt, MPN: TSW-150-15-G-S.

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    • Samtec TSW Stiftleiste gewinkelt, 100-polig / 2-reihig, Raster 2.54mm, Nicht ummantelt

    Samtec TSW Stiftleiste gewinkelt, 100-polig / 2-reihig, Raster 2.54mm, Nicht ummantelt

    54mm, Nicht ummantelt, MPN: TSW-150-08-T-D.Samtec TSW Stiftleiste gewinkelt, 100-polig / 2-reihig, Raster 2.

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    • onsemi Operationsverstärker SMD SC70 oder SC88 oder SOT353, einzeln typ. 1,8 → 5,5 V, 5-Pin

    onsemi Operationsverstärker SMD SC70 oder SC88 oder SOT353, einzeln typ. 1,8 → 5,5 V, 5-Pin

    onsemi Operationsverstärker SMD SC70 oder SC88 oder SOT353, einzeln typ. 1,8 → 5,5 V, 5-Pin, Stromversorgungs-Typ: Single, Verstärkungsbandbreitenprodukt typ.

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    • TDK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 12 nH 350mA, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±5%, 5.3GHz

    TDK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 12 nH 350mA, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±5%, 5.3GHz

    : 470mΩ, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur max.TDK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 12 nH 350mA, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±5%, 5.

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    • TDK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 12 nH 350mA, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±5%, 5.3GHz

    TDK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 12 nH 350mA, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±5%, 5.3GHz

    5mm, Gleichstromwiderstand max.: +125°C, Betriebstemperatur min.

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