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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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TDK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 12 NH 350mA, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±5%, 5.3GHz

About The 5mm, Gleichstromwiderstand max.: 470mΩ, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur max

TDK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 12 nH 350mA, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±5%, 5.3GHz, Tiefe: 0.5mm, Abmessungen: 1 x 0.5 x 0.5mm, Gleichstromwiderstand max.: 470mΩ, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: MLK1005S12NJT

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TDK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 12 NH 350mA, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±5%, 5.3GHz

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Specifications of TDK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 12 NH 350mA, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±5%, 5.3GHz

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StarTech.com CAT6a - 10Gbit/s Ethernetkabel Cat.6a, 3m, Hellblau Patchkabel, A RJ45 STP Stecker, B RJ45, PVC

StarTech.com CAT6a - 10Gbit/s Ethernetkabel Cat.6a, 3m, Hellblau Patchkabel, A RJ45 STP Stecker, B RJ45, PVC

com CAT6a - 10Gbit/s Ethernetkabel Cat.6a, 3m, Hellblau Patchkabel, A RJ45 STP Stecker, B RJ45, PVC, Abgeschlossen/Nicht abgeschlossen: Abgeschlossen, Geschirmt / Ungeschirmt: Geschirmt, Verhalten im Brandfall: CMG-klassifiziert, AWG: 25 AWG, Litzentyp: Litze, MPN: 6ASPAT3MAQ.StarTech.

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    • onsemi NVH NVH4L160N120SC1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 17,3 A, 4-Pin TO-247-4

    onsemi NVH NVH4L160N120SC1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 17,3 A, 4-Pin TO-247-4

    3V, Transistor-Werkstoff: SiC.: 4.: 0,16 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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  • MOSFET
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    • onsemi NTH NTHL160N120SC1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 29 A, 3-Pin TO-247
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  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • onsemi
    • Samtec TSW Stiftleiste gewinkelt, 50-polig / 1-reihig, Raster 2.54mm, Nicht ummantelt

    Samtec TSW Stiftleiste gewinkelt, 50-polig / 1-reihig, Raster 2.54mm, Nicht ummantelt

    Samtec TSW Stiftleiste gewinkelt, 50-polig / 1-reihig, Raster 2.54mm, Nicht ummantelt, MPN: TSW-150-15-G-S.

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  • Samtec
    • Samtec TSW Stiftleiste gewinkelt, 100-polig / 2-reihig, Raster 2.54mm, Nicht ummantelt

    Samtec TSW Stiftleiste gewinkelt, 100-polig / 2-reihig, Raster 2.54mm, Nicht ummantelt

    Samtec TSW Stiftleiste gewinkelt, 100-polig / 2-reihig, Raster 2.54mm, Nicht ummantelt, MPN: TSW-150-08-T-D.

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  • Samtec
    • onsemi Operationsverstärker SMD SC70 oder SC88 oder SOT353, einzeln typ. 1,8 → 5,5 V, 5-Pin

    onsemi Operationsverstärker SMD SC70 oder SC88 oder SOT353, einzeln typ. 1,8 → 5,5 V, 5-Pin

    onsemi Operationsverstärker SMD SC70 oder SC88 oder SOT353, einzeln typ. 1,8 → 5,5 V, 5-Pin, Stromversorgungs-Typ: Single, Verstärkungsbandbreitenprodukt typ.: 270 → 350MHz, Rail to Rail: Rail-to-Rail In/Out, MPN: NCS21871SQ3T2G.

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    • TDK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 1 nH 1A, 0402 Gehäuse 1mm / ±0.2nH, 8GHz

    TDK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 1 nH 1A, 0402 Gehäuse 1mm / ±0.2nH, 8GHz

    8GHz, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur max.5 x 0.: 13.

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    TDK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 12 nH 350mA, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±5%, 5.3GHz

    : 470mΩ, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur max.TDK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 12 nH 350mA, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±5%, 5.: +125°C, Betriebstemperatur min.

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    • TDK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 1 nH 1A, 0402 Gehäuse 1mm / ±0.2nH, 8GHz

    TDK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 1 nH 1A, 0402 Gehäuse 1mm / ±0.2nH, 8GHz

    2nH, 8GHz, Tiefe: 0.5 x 0.5mm, Gleichstromwiderstand max.

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