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Vishay SIR188LDP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 93,6 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

About The Vishay SIR188LDP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 93,6 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

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Phoenix Contact Gehäuse für schwere Steckverbinder

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Phoenix Contact Gehäuse für schwere Steckverbinder, MPN: 1689556.

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    • Vishay SIHB055N60EF-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 46 A D2PAK (TO-263)

    Vishay SIHB055N60EF-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 46 A D2PAK (TO-263)

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    • Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 200kΩ ±1% / 0.125W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 200kΩ ±1% / 0.125W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    : -55°C, Betriebstemperatur max.Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 200kΩ ±1% / 0.125W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: +155°C, MPN: CRCW0805200KFKEA.

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    Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 240Ω ±1% / 0.125W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    : -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: CRCW0805240RFKEA.Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 240Ω ±1% / 0.125W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.

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    Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 240Ω ±1% / 0.125W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    : -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: CRCW0805240RFKEA.Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 240Ω ±1% / 0.

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