Vishay SQ Rugged SQ4431EY-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6,2 A 6 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 52 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.55mm
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Vishay SQ Rugged SQ4431EY-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6,2 A 6 W, 8-Pin SOIC
Specifications of Vishay SQ Rugged SQ4431EY-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6,2 A 6 W, 8-Pin SOIC | |
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