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Vishay Siliconix TrenchFET SiDR392DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 125 W, 8-Pin PowerPAK SO-8DC

About The : 2.1V

Vishay Siliconix TrenchFET SiDR392DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 125 W, 8-Pin PowerPAK SO-8DC, Drain-Source-Widerstand max.: 900 μΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: +20 V, +6 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.1V

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Vishay Siliconix TrenchFET SiDR392DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 125 W, 8-Pin PowerPAK SO-8DC

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Specifications of Vishay Siliconix TrenchFET SiDR392DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 125 W, 8-Pin PowerPAK SO-8DC

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