Vishay Siliconix TrenchFET SiDR392DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 125 W, 8-Pin PowerPAK SO-8DC, Drain-Source-Widerstand max.: 900 μΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: +20 V, +6 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.1V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay Siliconix TrenchFET SiDR392DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 125 W, 8-Pin PowerPAK SO-8DC
Specifications of Vishay Siliconix TrenchFET SiDR392DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 125 W, 8-Pin PowerPAK SO-8DC | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |