Vishay SI4559ADY-T1-GE3 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 3,9 A; 5,3 A 3,1 W, 3,4 W, 8-Pin SOIC, Channel-Typ: N, P, Drain-Source-Widerstand max.: 72 mΩ, 150 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.5mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay SI4559ADY-T1-GE3 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 3,9 A; 5,3 A 3,1 W, 3,4 W, 8-Pin SOIC
Specifications of Vishay SI4559ADY-T1-GE3 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 3,9 A; 5,3 A 3,1 W, 3,4 W, 8-Pin SOIC | |
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