Infineon HEXFET IRFS52N15DTRLP N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 51 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
About The Infineon HEXFET IRFS52N15DTRLP N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 51 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 5V, Transistor-Werkstoff: Si
Infineon HEXFET IRFS52N15DTRLP N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 51 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,032 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Werkstoff: Si
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRFS52N15DTRLP N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 51 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Specifications of Infineon HEXFET IRFS52N15DTRLP N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 51 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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