Infineon CoolMOS CP IPW60R125CPFKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 25 A 208 W, 3-Pin TO-247, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 125 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V
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Infineon CoolMOS CP IPW60R125CPFKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 25 A 208 W, 3-Pin TO-247
Specifications of Infineon CoolMOS CP IPW60R125CPFKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 25 A 208 W, 3-Pin TO-247 | |
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