Infineon MOSFET Canal N, TO-252 30 A 120 V, 3 Broches

Name: Infineon MOSFET Canal N, TO-252 30 A 120 V, 3 Broches - Infineon
Brand: Infineon
SKU: CAXB-25118
Price: 6.23 EUR
Availability: InStock

About The Infineon MOSFET canal N, TO-252 30 A 120 V, 3 broches, Type de montage: CMS, MPN: IPD30N12S3L31ATMA1

Infineon MOSFET canal N, TO-252 30 A 120 V, 3 broches, Type de montage: CMS, MPN: IPD30N12S3L31ATMA1

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Infineon MOSFET canal N, TO-252 30 A 120 V, 3 broches

KYOCERA AVX Condensateur tantale, CMS, 3.3μF, 16V c.c.,, série F93

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Specifications of Infineon MOSFET Canal N, TO-252 30 A 120 V, 3 Broches
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Last Updated May 13th, 2024 11:46 pm

Infineon MOSFET Canal N, TO-252 30 A 120 V, 3 Broches

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Keysight Technologies Alimentation de laboratoire, 0 → 100V, 400mA, 1 sortie 40W, Etalonné RS

a., Température minimale: 0°C, Température maximum: +40°C, MPN: E36106B.Keysight Technologies Alimentation de laboratoire, 0 → 100V, 400mA, 1 sortie 40W, Etalonné RS, Type: Numérique, Tension d'alimentation: 100 V ac, 115 V ac, 230V c.

EPI & Sécurité & Informatique et Tests et Mesures

Test & Mesure

Alimentations de laboratoire et unités de source de mesure

Alimentations de laboratoire

Keysight Technologies

Infineon Low Side,, BTS3080EJXUMA1 Low Side

Infineon Low Side, Low Side, MPN: BTS3080EJXUMA1.

Composants Electroniques & Energie et Connecteurs

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Gestion de l'alimentation

CI d'interrupteur marche,arrêt

Infineon

Kern Balance 440-35A, max. 600g, résolution 0,01 g, Etalonné RS

600g, résolution 0,01 g, Etalonné RS, Type de balance: Balance de précision, Comptage de pièces: Oui, Type d'interface: RS232, Type de prise: Europe, Royaume-Uni, Etats-Unis, Diamètre du plateau de pesage: 105mm, Poids net: 1kg, Température d'utilisation maximum: +35°C, Température d'utilisation minimum: +5°C.Kern Balance 440-35A, max.

EPI & Sécurité & Informatique et Tests et Mesures

Test & Mesure

Mesures du poids et de la force

Balances

Kern

IXYS Diode Montage panneau, 30A, 400V, SOT-227B

IXYS Diode Montage panneau, 30A, 400V, SOT-227B, Configuration de diode: Isolé, Type de redressement: Commutation, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 1.6V, Temps de recouvrement inverse crête: 50ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 320A, MPN: DSEI2X30-04C.

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Diodes Schottky et de redressements

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