Vishay MOSFET canal N, SOIC 8 A 60 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 43 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5V, Dissipation de puissance maximum: 5 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1.55mm, MPN: SI4436DY-T1-GE3
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Vishay MOSFET Canal N, SOIC 8 A 60 V, 8 Broches
Specifications of Vishay MOSFET Canal N, SOIC 8 A 60 V, 8 Broches | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |