Infineon MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 64 A 250 V, 3 broches
31mm, MPN: IPB200N25N3GATMA1.Infineon MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 64 A 250 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 20 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Tension directe de la diode: 1.57mm, Longueur: 10.2V, Hauteur: 4.