Infineon MOSFET canal N, SOT-223 1,2 A 100 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 800 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.8V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.8V, Dissipation de puissance maximum: 1,8 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 6.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BSP296NH6327XTSA1
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Infineon MOSFET Canal N, SOT-223 1,2 A 100 V, 3 Broches
Specifications of Infineon MOSFET Canal N, SOT-223 1,2 A 100 V, 3 Broches | |
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