STMicroelectronics MOSFET canal N, H2PAK-7 60 A 1200 V, 7 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,052 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Matériau du transistor: Silicium, MPN: SCTH60N120G2-7
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STMicroelectronics MOSFET Canal N, H2PAK-7 60 A 1200 V, 7 Broches
Specifications of STMicroelectronics MOSFET Canal N, H2PAK-7 60 A 1200 V, 7 Broches | |
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