Infineon MOSFET canal P, DPAK (TO-252) 9,7 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 400 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 42 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 2.41mm, MPN: SPD09P06PLGBTMA1
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Infineon MOSFET Canal P, DPAK (TO-252) 9,7 A 60 V, 3 Broches
Specifications of Infineon MOSFET Canal P, DPAK (TO-252) 9,7 A 60 V, 3 Broches | |
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