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Microchip Mémoire EEPROM En Série, 25LC080/SN, 8Kbit, Série-SPI SOIC, 8 Broches, 8bit

About The 25mm, Conservation des données: 200an, Température d'utilisation maximum: +70 °C, Temps d'accès aléatoire maximum: 230ns, MPN: 25LC080/SN.5V, Dimensions: 4

Microchip Mémoire EEPROM en série, 8Kbit, Série-SPI SOIC, 8 broches, 8bit, Type de montage: CMS, Configuration: 1K x 8 bits, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 2,5 V, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,5 V, Tension de programmation: 2.5 → 5.5V, Dimensions: 4.9 x 3.9 x 1.25mm, Conservation des données: 200an, Température d'utilisation maximum: +70 °C, Temps d'accès aléatoire maximum: 230ns, MPN: 25LC080/SN

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Microchip Mémoire EEPROM En Série, 25LC080/SN, 8Kbit, Série-SPI SOIC, 8 Broches, 8bit

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Specifications of Microchip Mémoire EEPROM En Série, 25LC080/SN, 8Kbit, Série-SPI SOIC, 8 Broches, 8bit

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Holtek Régulateur de tension, HT7590-1-SOT89, 100mA, SOT-89 3 broches.

Holtek Régulateur de tension, HT7590-1-SOT89, 100mA, SOT-89 3 broches.

6 x 2.6mm, MPN: HT7590-1-SOT89.6 x 1.Holtek Régulateur de tension, 100mA, SOT-89 3 broches.

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    • TE Connectivity Résistance CMS série CRG 13Ω, boitier 0402 (1005M) ±1% 0.063W

    TE Connectivity Résistance CMS série CRG 13Ω, boitier 0402 (1005M) ±1% 0.063W

    TE Connectivity Résistance CMS série CRG 13Ω, boitier 0402 (1005M) ±1% 0.063W, Technologie: Film couche épaisse, Coefficient de température: ±100ppm/°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, Température d'utilisation maximum: +125°C, MPN: CRG0402F13R.

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    • Wurth Elektronik Embase pour CI, WR-WTB, 6 pôles, 2.0mm 1 rangée, Angle droit

    Wurth Elektronik Embase pour CI, WR-WTB, 6 pôles, 2.0mm 1 rangée, Angle droit

    Wurth Elektronik Embase pour CI, WR-WTB, 6 pôles, 2.

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    • Vishay Resistor, Aluminum Housed, Chassis Mount, 5 Watt, 1%, 1k Ohms

    Vishay Resistor, Aluminum Housed, Chassis Mount, 5 Watt, 1%, 1k Ohms

    Vishay Resistor, Aluminum Housed, Chassis Mount, 5 Watt, 1%, 1k Ohms, MPN: RH0051K000FE02.

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    • Allegro Microsystems Capteur à effet Hall Traversant SIP, 3 broches

    Allegro Microsystems Capteur à effet Hall Traversant SIP, 3 broches

    52 x 3.02mm, Hystérésis du capteur magnétique typique: 25 Gs, MPN: A1121LUA-T.09 x 1.

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    • Wurth Elektronik Embase pour CI, WR-BHD, 34 pôles, 2.54mm, 2 rangées, Angle droit

    Wurth Elektronik Embase pour CI, WR-BHD, 34 pôles, 2.54mm, 2 rangées, Angle droit

    54mm, 2 rangées, Angle droit, MPN: 61203422921.Wurth Elektronik Embase pour CI, WR-BHD, 34 pôles, 2.

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    • Microchip Mémoire EEPROM en série, 25LC080/SN, 8Kbit, Série-SPI SOIC, 8 broches, 8bit

    Microchip Mémoire EEPROM en série, 25LC080/SN, 8Kbit, Série-SPI SOIC, 8 broches, 8bit

    25mm, Conservation des données: 200an, Température d'utilisation maximum: +70 °C, Temps d'accès aléatoire maximum: 230ns, MPN: 25LC080/SN.5 → 5.

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    54mm, 2 rangées, Angle droit, MPN: 61202422921.Wurth Elektronik Embase pour CI, WR-BHD, 24 pôles, 2.

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    • Microchip Mémoire EEPROM en série, 25LC080/SN, 8Kbit, Série-SPI SOIC, 8 broches, 8bit

    Microchip Mémoire EEPROM en série, 25LC080/SN, 8Kbit, Série-SPI SOIC, 8 broches, 8bit

    5V, Dimensions: 4.25mm, Conservation des données: 200an, Température d'utilisation maximum: +70 °C, Temps d'accès aléatoire maximum: 230ns, MPN: 25LC080/SN.5 → 5.9 x 1.

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    Wurth Elektronik Embase pour CI, WR-BHD, 24 pôles, 2.54mm, 2 rangées, Angle droit

    Wurth Elektronik Embase pour CI, WR-BHD, 24 pôles, 2.54mm, 2 rangées, Angle droit, MPN: 61202422921.

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