Toshiba MOSFET canal N, SOT-23 3,5 A 100 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 92 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5V, Dissipation de puissance maximum: 2,4 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 2.9mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: SSM3K361R
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Toshiba MOSFET Canal N, SOT-23 3,5 A 100 V, 3 Broches
Specifications of Toshiba MOSFET Canal N, SOT-23 3,5 A 100 V, 3 Broches | |
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