IXYS MOSFET, Canale N, 1,05 Ω, 15 A, TO-247, Su Foro
About The IXYS MOSFET, canale N, 1,05 Ω, 15 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 1000 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 690 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16
IXYS MOSFET, canale N, 1,05 Ω, 15 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 1000 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 690 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.26mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFH15N100Q3
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
IXYS MOSFET, Canale N, 1,05 Ω, 15 A, TO-247, Su Foro
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Specifications of IXYS MOSFET, Canale N, 1,05 Ω, 15 A, TO-247, Su Foro | |
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