IXYS MOSFET, canale N, 1,05 Ω, 15 A, TO-247, Su foro
IXYS MOSFET, canale N, 1,05 Ω, 15 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 1000 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.26mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFH15N100Q3.5V, Dissipazione di potenza massima: 690 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.