Nexperia MOSFET, canale N, 58,3 mΩ, 25 A, LFPAK56, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.45V, Tensione di soglia gate minima: 0.5V, Dissipazione di potenza massima: 37 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 15 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: BUK9Y29-40E,115
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Nexperia MOSFET, Canale N, 58,3 MΩ, 25 A, LFPAK56, Montaggio Superficiale
Specifications of Nexperia MOSFET, Canale N, 58,3 MΩ, 25 A, LFPAK56, Montaggio Superficiale | |
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