Hammond Coperchio Contenitore Per Contenitori 1591E

DiodesZetex MOSFET, canale P, 4 Ω, 300 mA, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.4V, Dissipazione di potenza massima: 540 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: DMP32D4S-7.

Sick Sensore fotoelettrico Rettangolare, a retroriflessione, rilevamento 150 mm → 12 m., uscita PNP, Stile sensore: Blocco, Tipo di rilevamento: Retroriflettivo, Collegamento elettrico: Connettore M12, Tensione massima c.

Schneider Electric Teste selettori Harmony 9001K, 3 posizioni, Ø 30mm, Impugnatura standard, Attivazione dell'interruttore: Stabile, Better World: prodotti più sostenibili: Sì, Better World: certificazione di sostenibilità: Green Premium, MPN: 9001KS46FB.

Wago Morsettiera di terra, 2 vie, 28 → 12 AWG, Terminazione: Morsetto a gabbia, Lunghezza: 45mm, Altezza: 30.5mm, MPN: 280-107.

TE Connectivity Contatto presa di alimentazione Femmina serie Multimate, 1 via, per: Connettori circolari in plastica, Per utilizzo con: Connettori circolari in plastica AMP serie 5 e 6, MPN: 213847-3.

Honeywell Microinterruttore,, SPDT, 16 A a 250 V c.25N, Tensione nominale: 250V ca, Range di temperatura operativa: -25 → +125°C, Standard soddisfatti: CQC, cUL, ENEC, UL, MPN: V15T16-CZ100A02.

992mm, Larghezza: 4.Hammond Coperchio contenitore per Contenitori 1591E, Lunghezza: 189.

5mm, MPN: FDS8878.onsemi MOSFET, canale N, 14 mΩ, 10,2 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 1.

992mm, Larghezza: 4.

onsemi MOSFET, canale N, 14 mΩ, 10,2 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 1.