KYOCERA Resonador Cerámico, 16MHZ, 10pF, 3-Pin, 4.5 X 2 X 1.2mm

Infineon MOSFET, VDSS 600 V, ID 13 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.18 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Serie: 600V CoolMOS™ C7, MPN: IPB60R180C7ATMA1.

25kW, Serie: CJH, Encapsulado: Con carcasa de aluminio, Tolerancia: ±5%, Tecnología: Bobinado, MPN: CJH1250J47RJ.TE Connectivity, Resistencia: 47Ω, Potencia Nominal: 1.

2 x 2.95 x 4.

Microchip EPROM AT27LV010A-70JU, 1Mbit, 128K x 8 bits, 70ns, PLCC 32 pines, Tipo de Interfaz: Paralelo, Técnica de Reprogramación: OTP, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Dimensiones: 14.04 x 11.

TE Connectivity, Resistencia: 10Ω, Potencia Nominal: 2kW, Serie: CJH, Encapsulado: Con carcasa de aluminio, Tolerancia: ±5%, Tecnología: Bobinado, MPN: CJH2000J10RJ.

Infineon MOSFET, VDSS 80 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,049 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.8V, Número de Elementos por Chip: 1, Serie: OptiMOS™ 5 80V, MPN: IPB049N08N5ATMA1.

Infineon MOSFET IPS60R800CEAKMA1, VDSS 600 V, ID 8,4 A, IPAK (TO-251) de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,8 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.

1%, Tipo de Montaje: Montaje en Superficie, Longitud: 4.5%, Estabilidad de Frecuencia: ±0.

Infineon MOSFET IPS60R800CEAKMA1, VDSS 600 V, ID 8,4 A, IPAK (TO-251) de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,8 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Serie: CoolMOS CE.

5%, Estabilidad de Frecuencia: ±0.2mm, Tolerancia de Frecuencia: ±0.KYOCERA Resonador cerámico, 16MHZ, 10pF, 3-Pin, 4.