STMicroelectronics MOSFET, canale N, 550 mΩ, 10 A, TO-220FP, Su foro
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 550 mΩ, 10 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 25 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Altezza: 16.