Infineon MOSFET, canale N, 54 mΩ, 43 A, TO-220AB, Su foro
Infineon MOSFET, canale N, 54 mΩ, 43 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 200 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 300 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 16.51mm, MPN: IRFB38N20DPBF.