IXYS MOSFET canal N, A-220 2 A 650 V, 3 broches
4V, MPN: IXTP2N65X2.IXYS MOSFET canal N, A-220 2 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 2,3 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 55 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Tension directe de la diode: 1.