Infineon MOSFET canal N, TDSON 100 A 80 V, 8 broches
Infineon MOSFET canal N, TDSON 100 A 80 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 8,9 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 125 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 6.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BSC047N08NS3GATMA1.