onsemi MOSFET canal N, Puissance 33 100 A 30 V, 8 broches
onsemi MOSFET canal N, Puissance 33 100 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3,3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1.05mm, Longueur: 3.2V, Dissipation de puissance maximum: 41 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1.