IXYS MOSFET canal N, PLUS247 32 A 800 V, 3 broches
IXYS MOSFET canal N, PLUS247 32 A 800 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 270 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 6V, Dissipation de puissance maximum: 1 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Hauteur: 21.34mm, Longueur: 16.13mm, MPN: IXFX32N80Q3.