Vishay MOSFET SIHU4N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 4,1 A, IPAK (TO-251) de 3 pines,, config. Simple
73mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,44 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 62,5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 6.Vishay MOSFET SIHU4N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 4,1 A, IPAK (TO-251) de 3 pines,, config.