Toshiba MOSFET TK55S10N1, VDSS 100 V, ID 55 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config. Simple
Toshiba MOSFET TK55S10N1, VDSS 100 V, ID 55 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 6,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 157 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 6.5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C.