IXYS MOSFET IXFQ26N50P3, VDSS 500 V, ID 26 A, TO-3PN de 3 pines,, config. Simple
Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 240 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 500 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Número de Elementos por Chip: 1, Altura: 20.8mm.IXYS MOSFET IXFQ26N50P3, VDSS 500 V, ID 26 A, TO-3PN de 3 pines,, config.3mm, Longitud: 15.