onsemi MOSFET NTMD4N03G, VDSS 30 V, ID 4 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 80 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 2 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: NTMD4N03R2G.onsemi MOSFET NTMD4N03G, VDSS 30 V, ID 4 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config.