Infineon 16MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 1 M 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 3 V bis 3,6 V, TSOP II 54-Pin
: 10ns, Low Power: Ja, Timing Typ: Asymmetrisch, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 22.058 x 0.95mm, MPN: CY7C10612G30-10ZSXI.Infineon 16MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 1 M 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 3 V bis 3,6 V, TSOP II 54-Pin, Organisation: 1 MB x 16 bit, Zugriffszeit max.