Toshiba TK TK20J60W,S1VQ(O N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-3PN, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 155 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.7V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Höhe: 20mm, Länge: 15.5mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Toshiba TK TK20J60W,S1VQ(O N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-3PN
Specifications of Toshiba TK TK20J60W,S1VQ(O N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-3PN | |
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