IXYS HiperFET, Polar IXFH120N15P N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 120 A 600 W, 3-Pin TO-247AD, Drain-Source-Widerstand max.: 16 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 16.26mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
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IXYS HiperFET, Polar IXFH120N15P N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 120 A 600 W, 3-Pin TO-247AD
Specifications of IXYS HiperFET, Polar IXFH120N15P N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 120 A 600 W, 3-Pin TO-247AD | |
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